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NES8100系列高溫反偏老化測試系統(tǒng)

簡要描述:NES8100系列高溫反偏老化測試系統(tǒng)是一款適用于各種封裝形式(包括SMD表面貼裝)微波器件的高溫反偏老化測試系統(tǒng),系統(tǒng)滿足雙電源
型GaN類、微波MOS管等半導體分立器件的高溫反偏/柵偏試驗(HTRB/HTGB)和高溫漏電流測試(HTIR)。NES8100 系列高溫反偏老化測試系統(tǒng)支持電壓200V單偏置或雙偏置的高溫反偏試驗(HTRB)和老煉篩選。

  • 產(chǎn)品型號:NES8100-16
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時間:2024-10-30
  • 訪  問  量:1516

詳細介紹

NES8100系列高溫反偏老化測試系統(tǒng)產(chǎn)品簡介:

是一款適用于各種封裝形式(包括SMD表面貼裝)微波器件的高溫反偏老化測試系統(tǒng),系統(tǒng)滿足雙電源 型GaN類、微波MOS管等半導體分立器件的高溫反偏/柵偏試驗(HTRB/HTGB)和高溫漏電流測試(HTIR)。NES8100系列采用高 品質(zhì)的GWS的PH-201型號高溫箱,最高長期穩(wěn)定工作溫度為175℃;具備測試通道多的特點,單系統(tǒng)16CH支持單管芯器件640 工位測試;支持電壓200V單偏置或雙偏置的高溫反偏試驗(HTRB)和老煉篩選。NES8100系列為半導體器件高溫反偏測試定制開 發(fā)專用軟件,集成自動調(diào)節(jié)加電模式、在線調(diào)節(jié)加電模式、加載時序控制、自動保護器件、數(shù)據(jù)實時監(jiān)控等多種功能。

NES8100系列高溫反偏老化測試系統(tǒng)主要特點:

支持高溫反偏/柵偏試驗(HTRB/HTGB)和高溫漏電流測試(HTIR)

GWS單高溫箱結(jié)構(gòu),長期穩(wěn)定工作溫度為175℃

雙一級電源供電,Vd為200V;Vg為±15.0V

NGI品牌高精度測試電源,高精度、低紋波

Vg電源單機四通道,高集成度

Vg采用UPS供電的二級電源設計,軟硬件時序控制

單系統(tǒng)16CH支持單管芯器件640工位測試

自動調(diào)節(jié)、在線調(diào)試多種加電模式,加載時序控制

數(shù)據(jù)實時監(jiān)控、全程記錄,測試數(shù)據(jù)快速溯源

單工位Vd均加繼電器自動保護,器件測試更安全
規(guī)格參數(shù)表:

型號NES8100-16
適用標準/條款MIL-STD-750D、MIL-M-19500、GJB128A、AEC-101
尺寸1450mm(寬)×1430mm(深)×1900mm(高)
重量1000kg
供電AC 220V±10%,50Hz
功率≤12kW

高溫試驗箱(PH-201)
試驗腔尺寸600*600*600(mm)
風道設計水平橫向循環(huán)風道設計
長期最高試驗溫度150℃(老化板配件最高耐溫150℃)
溫度均勻性150℃±3℃(空載),試驗溫度波動度:±1℃
溫度顯示及控制精度1℃

測試電源(NGI)
Vd電源數(shù)量4臺
Vd電壓范圍0~240V
Vd電流范圍0~30A
Vd功率范圍0~1200W
Vg電源數(shù)量2臺(單機四通道)
Vg電壓范圍0~60V
Vg電流范圍0~15A
Vg功率范圍0~360W

測試容量
獨立試驗區(qū)數(shù)量4個區(qū)(一組測試電源對應一個試驗區(qū))
測試通道數(shù)16CH
單板工位數(shù)/總?cè)萘?/td>40工位/640工位

驅(qū)動檢測板
數(shù)量16塊
Vd電壓檢測0V~200V;分辨率:0.1V;精度: 1%+0.1V
Vg電壓檢測-15.00V~15.00V;分辨率:0.01V;精度: 1%+0.01V
Id漏電流檢測0.01mA~50mA;分辨率:0.01mA;精度:2%+30μA
Ig漏電流檢測0.01mA~50mA;分辨率:0.01mA;精度:2%+30μA

老化板
基板材質(zhì)標配高Tg基板(可定制)
耐溫范圍耐溫150℃(可定制)
老化板尺寸290mm*600mm(可定制)



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